9月1日，荷兰针对先进半导体设备出口的新规正式生效。
荷兰光刻巨头ASML就此事回应称：“荷兰政府已经颁发了我们截至9月1日所需的许可证，允许ASML今年继续发运TWINSCAN NXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统。”
不过，ASML还称：“我们的客户也已知悉出口管制条例所带来的限制，即自2024年1月1日起，ASML将基本不会获得向中国客户发运这些设备的出口许可证。”
据悉，ASML在6月与美国达成了一项协议，被要求寻求许可证，才能出口其最先进的技术。【趣元素】随后，在当地时间6月30日，荷兰宣布了新的出口管制措施，要求阿斯麦在出口一些高级设备时必须申请出口许可证。也就是9月1日执行的这份。
一、管制条例须知：并非限制所有光刻机
根据新出口管制条例规定，此次荷兰出台的相关出口管制规定主要针对特定的先进半导体制造设备，包括EUV薄膜生产设备、光刻设备、沉积设备、外延生长设备等，具体涉及到薄膜沉积、光刻等半导体制造链路中的重点工艺。并非所有浸润式DUV光刻系统。
ASML在此前的声明中也重点指出，荷兰政府新颁布的出口管制条例只涉及TWINSCAN NXT：2000i及后续推出的浸润式光刻系统（DUV，深紫外光刻）。而该公司的EUV光刻（极紫外光刻）系统在此前已经受到限制，其它光刻系统，以及更低端的光刻设备的出口未受荷兰政府管控。
从类型来看，ASML覆盖了干式DUV光刻机、浸没式DUV光刻机及EUV光刻机（目前全球最先进的光刻机）。
ASML浸润式（DUV）光刻机有4大型号：TWINSCAN NXT:2100i、TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i和TWINSCAN NXT:1980Di。
其中1980Di光刻系统是ASML10年前推出的老型号，2000i、2050i、2100i都是在1980di的基础上进行升级的版本，可用于7nm以上制造。目前1980Di效率相对较低，也是目前浸润式光刻机中唯一不被限制的。其支持NA 1.35光学器件，分辨率可达38nm以下，理论上可以应用于7nm技术的生产。
据悉，台积电的第一代7nm工艺就是基于NXT:1980Di实现的，后来才升级为EUV 7nm工艺。不过，由于步骤更为复杂，成本更高。目前大多数晶圆厂使用1980Di光刻机主要生产14nm及以上工艺芯片，很少使用它来生产7nm芯片。
二、光刻机行业现状：后起之秀—上海微电子
光刻机作为芯片制造的核心设备之一，除了ASML之外，还有日本尼康/NIKON、佳能/Canon，以及我国“上海微电子”具备制造（前道）光刻机量产能力。
根据应用范围光刻机分为：前道光刻机、后道光刻机、LED光刻机和面板光刻机。其中前道光刻机，用于芯片制造的光刻机，曝光工艺极其复杂；后道光刻机，主要用于封装测试，技术难度相对较小。
值得注意的是，用于生产高端芯片的EUV光刻机（可以制造7nm以上）只有ASML具备量产能力。主流手机芯片，如高通骁龙、苹果系列、联发科天玑等都使用的是ASML的EUV光刻机。
目前，全球光刻机市场份额被前三大企业占领。2022年全球光刻机市场，ASML占据了82.14%的市场份额；佳能位居第二，占据10.2%的份额，尼康紧随其后，占据7.65%的份额，这三家厂商合计接近于100%的市场份额。而国产光刻机市场份额几乎忽略不计。
从出货量来看，2022年，ASML前道光刻机出货345台，佳能176台，尼康30台。尤其是高端领域基本被ASML独占。
至于上海微电子，并没有详细数据。不过，在后道封测光刻机市场上，上海微电子占据国内主要市场份额。据悉，在2022年2月7日，上海微电子正式交付了中国首台2.5D/3D先进封装光刻机。在今年年初，昆山同兴也达购入了两台SMEE封测光刻机。
目前，在IC前道制造方面，上海微电子有SSX600系列光刻机，其中最先进的型号是SSA600/20，可用于90nm制造。在IC后道先进封装方面，上海微电子有SSB500系列，主要应用200mm/300mm集成电路先进封装领域。
据7月31日，《新华网》最新消息，上海微电子正致力于研发28nm浸没式光刻机，预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。